100V場效應管4N10 SOT23-6 LED用MOSFET 國產(chǎn)MOS管選型
100V場效應管4N10的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 100 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù)(TA=25℃) | 3.8 | A |
| 漏極電流-連續(xù)(TA=100℃) | 2 | ||
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 8 | |
| PD | 總耗散功率 TA=25℃ | 3.75 | W |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 125 | ℃/W |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 30 | |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 |
100V場效應管4N10的極限值：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 100 | 111 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導通電阻 VGS=10V,ID=2A | 200 | 250 | mΩ | |
| 靜態(tài)漏源導通電阻 VGS=4.5V,ID=1.5A | 220 | 280 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1.2 | 1.6 | 2.5 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 5.3 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 1.4 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 1.8 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 440 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 14 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 10 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 14 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 54 | |||
| td(off) | 關斷延遲時間 | 18 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 11 |
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