福斯特場效應(yīng)管2N06 SOT-23貼片小封裝NMOS管 低壓MOS管替換
貼片小封裝NMOS管2N06的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 60 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù)(TC=25℃) | 2 | A |
| 漏極電流-連續(xù)(TC=100℃) | 1.1 | ||
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 6 | |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 11 | mJ |
| PD | 總耗散功率 TC=25℃ | 42 | W |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 | |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 2 | ℃/W |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 128 |
貼片小封裝NMOS管2N06的電特性：
(如無特殊說明，TA=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 60 | 66 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=1.6A | 135 | 180 | mΩ | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=1A | 165 | 225 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1 | 1.6 | 2.5 | V |
| IDSS | 零柵壓漏極電流 VDS=60V,VGS=0V | 1 | uA | ||
| IGSS | 柵極漏電流 VGS=±20V,VDS=0V | ±100 | nA | ||
柵極漏電流 VGS=±10V,VDS=0V | ±50 | ||||
| Qg | 柵極電荷 | 2.5 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 5 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 1 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 205 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 25 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 10 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 6 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 9 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時間 | 12 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 3 |
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