19.3A低壓NMOS管15N10D TO-252貼片場效應(yīng)管 MOSFET選型
19.3A低壓NMOS管15N10D的應(yīng)用領(lǐng)域：
鋰電保護(hù)
手機(jī)快充
19.3A低壓NMOS管15N10D的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 100 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù)(TC=25℃) | 19.3 | A |
| 漏極電流-連續(xù)(TC=100℃) | 10 | ||
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 57.9 | |
| PD | 總耗散功率(TC=25℃) | 30 | W |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 7 | mJ |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 55 | ℃/W |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 5.1 | |
| TSTG | 存儲(chǔ)溫度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 |
19.3A低壓NMOS管15N10D的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 100 | 107 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=5A | 65 | 85 | mΩ | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=3A | 75 | 100 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1.2 | 1.85 | 2.5 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 11.9 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 2.8 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 1.7 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 1100 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 55 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 40 | |||
| td(on) | 開啟延遲時(shí)間 | 3.8 | ns | ||
| tr | 開啟上升時(shí)間 | 25.8 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 16 | |||
| tf | 開啟下降時(shí)間 | 8.8 |
網(wǎng)站首頁可控硅集成電路MOS管產(chǎn)品中心生產(chǎn)實(shí)力技術(shù)支持新聞資訊關(guān)于宇芯聯(lián)系我們
掃二維碼進(jìn)入手機(jī)網(wǎng)站 
掃二維碼進(jìn)入微信 
