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產(chǎn)品分類

Product Categories
低壓大電流MOS管FIR105N08PG TO-220
低壓大電流MOS管FIR105N08PG TO-220
產(chǎn)品品牌:美國福斯特
產(chǎn)品類型:中低壓功率MOS管
產(chǎn)品型號:FIR105N08PG
產(chǎn)品封裝:TO-220
產(chǎn)品標(biāo)題:低壓大電流MOS管FIR105N08PG TO-220 NMOS管 電源用場效應(yīng)管
咨詢熱線:0769-89027776

產(chǎn)品詳情


低壓大電流MOS管FIR105N08PG TO-220 NMOS管 電源用場效應(yīng)管



低壓大電流MOS管FIR105N08PG的應(yīng)用領(lǐng)域:

  • 電源開關(guān)應(yīng)用

  • 硬開關(guān)和高頻電路

  • UPS 不間斷電源



低壓大電流MOS管FIR105N08PG的極限值:

(如無特殊說明,TA=25℃)

參數(shù)符號數(shù)值單位
漏極-源極電壓VDSS80V
柵極-源極電壓VGS±20V

漏極電流-連續(xù)

ID105A

漏極電流-連續(xù)

TC=100℃

80
漏記電流-脈沖IDM420
單脈沖雪崩能量EAS800mJ
功耗PD200W
工作結(jié)溫TJ
-55~175
存儲溫度范圍TSTG-55~175



低壓大電流MOS管FIR105N08PG的電特性:

(如無特殊說明,TA=25℃)

參數(shù)符號測試條件最小值典型值最大值單位
漏極-源極擊穿電壓BVDSSVGS=0V,ID=250μA8086
V
零柵壓漏極電流IDSSVDS=80V,VGS=0V

1μA
柵極漏電流IGSSVGS=±20V,VDS=0V

±100nA
柵極開啟電壓VGS(TH)VDS=VGS,ID=250μA234V
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻RDS(ON)VGS=10V,ID=40A
6.38
輸入電容Ciss

VDS=25V,VGS=0V,

F=1.0MHz


4900
pF
輸出電容Coss
410
反向傳輸電容Crss
315
開啟延遲時間td(on)

VDD=30V,ID=2A,

RL=15Ω,RG=2.5Ω,

VGS=10V


20
nS
開啟上升時間tr
19
關(guān)斷延遲時間td(off)
70
開啟下降時間tf
30
柵極總電荷Qg

VDD=30V,ID=30A,

VGS=10V


125
nC
柵源電荷密度Qgs
24
柵漏電和密度Qgd
49


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