福斯特 FIR10N20LG TO-252 貼片低壓MOS管 增強(qiáng)型NMOSFET
貼片低壓MOS管FIR10N20LG的極限值：
（如無(wú)特殊說(shuō)明，Ta=25℃）
| 參數(shù) | 符號(hào) | 數(shù)值 | 單位 |
| 漏極-源極電壓 | VDSS | 200 | V |
| 柵極-源極電壓 | VGS | ±30 | V |
漏極電流-連續(xù) TJ=25℃ | ID | 10 | A |
| 漏極電流-連續(xù) TJ=100℃ | 7 | ||
| 單脈沖雪崩能量 | EAS | 160 | mJ |
| 雪崩電流 | IAR | 9 | A |
| 功耗 | PD | 72 | W |
| 工作結(jié)溫 | TJ | 150 | ℃ |
| 存儲(chǔ)溫度范圍 | TSTG | -55~+150 |
貼片低壓MOS管FIR10N20LG的電特性：
（如無(wú)特殊說(shuō)明，Ta=25℃）
| 參數(shù) | 符號(hào) | 測(cè)試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
| 漏極-源極擊穿電壓 | BVDSS | VGS=0V,ID=250μA | 200 | V | ||
| 零柵壓漏極電流 | IDSS | VDS=200V,VGS=0V | 1 | μA | ||
| VDS=160V,TC=125℃ | 10 | |||||
| 柵極漏電流 | IGSS | VGS=±30V,VDS=0V | ±100 | nA | ||
| 柵極開(kāi)啟電壓 | VGS(TH) | VDS=VGS,ID=250μA | 2 | 4 | V | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 | RDS(ON) | VGS=4.5V,ID=10A | 0.4 | Ω | ||
| 輸入電容 | Ciss | VDS=25V,VGS=0V,F=1.0MHz | 710 | pF | ||
| 輸出電容 | Coss | 85 | ||||
| 反向傳輸電容 | Crss | 22 | ||||
| 開(kāi)啟延遲時(shí)間 | td(on) | VDD=100V,ID=9A,RG=25Ω | 11 | 25 | nS | |
| 開(kāi)啟上升時(shí)間 | tr | 70 | 140 | |||
| 關(guān)斷延遲時(shí)間 | td(off) | 60 | 120 | |||
| 開(kāi)啟下降時(shí)間 | tf | 65 | 130 | |||
| 柵極總電荷 | Qg | VDS=160V,ID=9A,VGS=10V | 22 | 30 | nC | |
| 柵源電荷密度 | Qgs | 4 | ||||
| 柵漏電和密度 | Qgd | 11 |
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