FIR19N20LG TO-252貼片N溝道MOS管 200V/18A低壓福斯特MOSFET
貼片N溝道MOS管FIR19N20LG的極限值：
（如無(wú)特殊說(shuō)明，TC=25℃）
| 參數(shù) | 符號(hào) | 數(shù)值 | 單位 |
| 漏極-源極電壓 | VDSS | 200 | V |
| 柵極-源極電壓 | VGS | ±30 | V |
漏極電流-連續(xù) | ID | 18 | A |
| 漏極電流-連續(xù) TC=25℃ | 11.2 | ||
| 漏記電流-脈沖 | IDM | 72 | |
| 單脈沖雪崩能量 | EAS | 950 | mJ |
| 重復(fù)雪崩能量 | EAR | 90 | mJ |
| 雪崩電流 | IAR | 4.2 | A |
| 功耗 | PD | 100 | W |
| 工作結(jié)溫 | TJ | 150 | ℃ |
| 存儲(chǔ)溫度范圍 | TSTG | -55~+150 |
貼片N溝道MOS管FIR19N20LG的電特性：
（如無(wú)特殊說(shuō)明，TC=25℃）
| 參數(shù) | 符號(hào) | 測(cè)試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
| 漏極-源極擊穿電壓 | BVDSS | VGS=0V,ID=250μA | 200 | V | ||
| 零柵壓漏極電流 | IDSS | VDS=200V,VGS=0V,TA=25℃ | 1 | μA | ||
| VDS=160V,VGS=0V,TA=125℃ | 10 | |||||
| 柵極漏電流 | IGSS | VGS=±30V | ±100 | nA | ||
| 柵極開啟電壓 | VGS(TH) | VDS=VGS,ID=250μA | 2 | 4 | V | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 | RDS(ON) | VGS=10V,ID=10.8A | 0.12 | 0.18 | Ω | |
| 輸入電容 | Ciss | VDS=25V,VGS=0V,F=1.0MHz | 1140 | pF | ||
| 輸出電容 | Coss | 180 | ||||
| 反向傳輸電容 | Crss | 25 | ||||
| 開啟延遲時(shí)間 | td(on) | VDD=100V,ID=18A,RG=2.4Ω,VGS=10V | 11 | nS | ||
| 開啟上升時(shí)間 | tr | 33 | ||||
| 關(guān)斷延遲時(shí)間 | td(off) | 25 | ||||
| 開啟下降時(shí)間 | tf | 7 | ||||
| 柵極總電荷 | Qg | VDD=100V,ID=18A,VGS=10V | 24 | nC | ||
| 柵源電荷密度 | Qgs | 7.5 | ||||
| 柵漏電和密度 | Qgd | 9.5 |
貼片N溝道MOS管FIR19N20LG的封裝外形尺寸圖：
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