100V低壓場效應(yīng)管FIR10N10LG TO-252N溝道MOSFET 低內(nèi)阻MOS管
100V低壓場效應(yīng)管FIR10N10LG的極限參數(shù)：
（如無特殊說明，TA=25℃）
| 參數(shù) | 符號 | 數(shù)值 | 單位 |
| 漏極-源極電壓 | VDSS | 100 | V |
| 柵極-源極電壓 | VGS | ±20 | V |
漏極電流-連續(xù) | ID | 10 | A |
| 漏記電流-脈沖 | IDM | 24 | |
| 功耗 | PD | 3 | W |
| 工作結(jié)溫 | TJ | -55~+150 | ℃ |
| 存儲溫度范圍 | TSTG | -55~+150 |
100V低壓場效應(yīng)管FIR10N10LG的電特性：
（如無特殊說明，TA=25℃）
| 參數(shù) | 符號 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
| 漏極-源極擊穿電壓 | BVDSS | VGS=0V,ID=250μA | 100 | 105 | V | |
| 零柵壓漏極電流 | IDSS | VDS=80V,VGS=0V | 800 | nA | ||
| 柵極漏電流 | IGSS | VGS=±20V,VDS=0V | ±30 | uA | ||
| 柵極開啟電壓 | VGS(TH) | VDS=VGS,ID=250μA | 1 | 2 | 3 | V |
| 靜態(tài)漏源導通電阻 | RDS(ON) | VGS=10V,ID=10A | 190 | 210 | mΩ | |
| 輸入電容 | Ciss | VDS=25V,VGS=0V,F=1.0MHz | 690 | pF | ||
| 輸出電容 | Coss | 120 | ||||
| 反向傳輸電容 | Crss | 90 | ||||
| 開啟延遲時間 | td(on) | VDD=30V,ID=2A,RL=15Ω,RG=2.5Ω,VGS=10V | 11 | nS | ||
| 開啟上升時間 | tr | 7.4 | ||||
| 關(guān)斷延遲時間 | td(off) | 35 | ||||
| 開啟下降時間 | tf | 9.1 | ||||
| 柵極總電荷 | Qg | VDD=30V,ID=10A,VGS=10V | 14 | nC | ||
| 柵源電荷密度 | Qgs | 3.2 | ||||
| 柵漏電和密度 | Qgd | 4.7 |
100V低壓場效應(yīng)管FIR10N10LG的封裝外形尺寸圖：
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