低內(nèi)阻N溝道MOS管FIR80N08PG TO-220場效應(yīng)管替換 MOSFET參數(shù)
低內(nèi)阻N溝道MOS管FIR80N08PG的應(yīng)用領(lǐng)域：
電源開關(guān)應(yīng)用
高頻電路
UPS 不不間斷電源
低內(nèi)阻N溝道MOS管FIR80N08PG的極限值：
（如無特殊說明，TA=25℃）
| 參數(shù) | 符號 | 數(shù)值 | 單位 |
| 漏極-源極電壓 | VDSS | 80 | V |
| 柵極-源極電壓 | VGS | ±20 | V |
漏極電流-連續(xù) | ID | 80 | A |
| 漏極電流-連續(xù) TC=100℃ | 60 | ||
| 漏記電流-脈沖 | IDM | 320 | |
| 單脈沖雪崩能量 | EAS | 600 | mJ |
| 功耗 | PD | 160 | W |
| 工作結(jié)溫 | TJ | -55~150 | ℃ |
| 存儲溫度范圍 | TSTG | -55~150 |
低內(nèi)阻N溝道MOS管FIR80N08PG的電特性：
（如無特殊說明，TA=25℃）
| 參數(shù) | 符號 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
| 漏極-源極擊穿電壓 | BVDSS | VGS=0V,ID=250μA | 80 | V | ||
| 零柵壓漏極電流 | IDSS | VDS=80V,VGS=0V | 1 | μA | ||
| 柵極漏電流 | IGSS | VGS=±20V,VGS=0V | ±100 | nA | ||
| 柵極開啟電壓 | VGS(TH) | VDS=VGS,ID=250μA | 2 | 3 | 4 | V |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 | RDS(ON) | VGS=10V,ID=40A | 8.4 | 10 | mΩ | |
| 輸入電容 | Ciss | VDS=25V,VGS=0V,F=1.0MHz | 3400 | pF | ||
| 輸出電容 | Coss | 290 | ||||
| 反向傳輸電容 | Crss | 30 | ||||
| 開啟延遲時間 | td(on) | VDD=30V,ID=2A,RL=15Ω,RG=2.5Ω,VGS=10V | 18 | nS | ||
| 開啟上升時間 | tr | 12 | ||||
| 關(guān)斷延遲時間 | td(off) | 56 | ||||
| 開啟下降時間 | tf | 15 | ||||
| 柵極總電荷 | Qg | VDS=30V,ID=30A,VGS=10V | 100 | nC | ||
| 柵源電荷密度 | Qgs | 20 | ||||
| 柵漏電和密度 | Qgd | 30 |
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