FIR24N50APTG TO-3P大封裝高電壓NMOSFET 福斯特場(chǎng)效應(yīng)管
大封裝高電壓NMOSFET FIR24N50APTG的極限值：
（如無特殊說明，TC=25℃）
| 參數(shù) | 符號(hào) | 數(shù)值 | 單位 |
| 漏極-源極電壓 | VDSS | 500 | V |
| 柵極-源極電壓 | VGS | ±30 | V |
漏極電流-連續(xù) TC=25℃ | ID | 24 | A |
漏極電流-連續(xù) TC=100℃ | 15.2 | ||
| 漏記電流-脈沖 | IDM | 56 | |
| 單脈沖雪崩能量 | EAS | 1100 | mJ |
| 雪崩電流 | IAR | 24 | A |
| 功耗(TC=25℃) | PD | 290 | W |
| 工作結(jié)溫 | TJ | -55~+150 | ℃ |
| 存儲(chǔ)溫度范圍 | TSTG | -55~+150 |
大封裝高電壓NMOSFET FIR24N50APTG的電特性：
（如無特殊說明，TC=25℃）
| 參數(shù) | 符號(hào) | 測(cè)試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
| 漏極-源極擊穿電壓 | BVDSS | VGS=0V,ID=250μA | 500 | V | ||
| 零柵壓漏極電流 | IDSS | VDS=500V,VGS=0V | 1 | μA | ||
| VDS=400V,TC=125℃ | 10 | |||||
| 柵極漏電流 | IGSS | VGS=±30V,VGS=0V | ±100 | nA | ||
| 柵極開啟電壓 | VGS(TH) | VDS=VGS,ID=250μA | 2 | 4 | V | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 | RDS(ON) | VGS=10V,ID=10A | 0.3 | Ω | ||
| 輸入電容 | Ciss | VDS=25V,VGS=0V,F=1.0MHz | 3500 | 4500 | pF | |
| 輸出電容 | Coss | 520 | 670 | |||
| 反向傳輸電容 | Crss | 55 | 70 | |||
| 開啟延遲時(shí)間 | td(on) | VDD=250V,ID=24A,RG=25Ω | 80 | 170 | nS | |
| 開啟上升時(shí)間 | tr | 250 | 500 | |||
| 關(guān)斷延遲時(shí)間 | td(off) | 200 | 400 | |||
| 開啟下降時(shí)間 | tf | 155 | 320 | |||
| 柵極總電荷 | Qg | VDS=400V,ID=24A,VGS=10V | 90 | 120 | nC | |
| 柵源電荷密度 | Qgs | 23 | ||||
| 柵漏電和密度 | Qgd | 44 |
大封裝高電壓NMOSFET FIR24N50APTG的封裝外形尺寸圖：
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