國產(chǎn)替換MOSFET 30N02 PDFN3X3-8L 貼片小封裝MOS管
國產(chǎn)替換MOSFET 30N02的應(yīng)用領(lǐng)域：
太陽能路燈
負(fù)載開關(guān)
3.3V MCU
國產(chǎn)替換MOSFET 30N02的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 20 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù)(TC=25℃) | 30 | A |
| 漏極電流-連續(xù)(TC=100℃) | 13 | ||
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 50 | |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 8.1 | mJ |
| IAS | 雪崩電流 | 12.7 | A |
| PD | 總耗散功率 TC=25℃ | 20.8 | W |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 | |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 62 | ℃/W |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 6 |
國產(chǎn)替換MOSFET 30N02的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 20 | 22 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=7.6A | 11 | 15 | mΩ | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=2.5V,ID=3.5A | 15.5 | 20 | |||
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=1.8V,ID=2.5A | 20.5 | 35 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 0.5 | 0.65 | 1 | V |
| IDSS | 零柵壓漏極電流 VDS=20V,VGS=0V | 1 | μA | ||
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 11.05 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 1.73 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 3.1 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 888 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 133 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 117 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 7 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 46 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時間 | 30 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 52 |
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