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產(chǎn)品分類

Product Categories
200V/18A中低壓MOSFET FIR19N20PG TO-220
200V/18A中低壓MOSFET FIR19N20PG TO-220
產(chǎn)品品牌：美國福斯特
產(chǎn)品類型：中低壓功率MOS管
產(chǎn)品型號：FIR19N20PG
產(chǎn)品封裝：TO-220
產(chǎn)品標題：200V/18A中低壓MOSFET FIR19N20PG TO-220場效應管替代 NMOS管
咨詢熱線：0769-89027776

產(chǎn)品詳情


200V/18A中低壓MOSFET FIR19N20PG TO-220場效應管替代 NMOS管



中低壓MOSFET FIR19N20PG的特點：

  • 低電容

  • 良好的開關特性

  • 封裝：TO-220



中低壓MOSFET FIR19N20PG的極限值(如無特殊說明，TA=25℃)：

參數(shù)符號數(shù)值單位
漏極-源極電壓VDSS200V
柵極-源極電壓VGS±30V
漏極電流-連續(xù)(TC=25℃)ID18A
漏極電流-連續(xù)(TC=100℃)11.9
單脈沖雪崩能量EAS160mJ
雪崩電流IAR18A
功耗(TA=25℃)PD90W
工作結(jié)溫TJ
150℃
存儲溫度范圍TSTG-55~+150



中低壓MOSFET FIR19N20PG的電特性(如無特殊說明，TA=25℃)：

參數(shù)符號測試條件最小值典型值最大值單位
漏極-源極擊穿電壓BVDSSVGS=0V,ID=250μA200

V
零柵壓漏極電流IDSSVDS=200V,VGS=0V

1μA
VDS=160V,TC=125℃

10
柵極漏電流IGSSVGS=±30V,VGS=0V

±100nA
柵極開啟電壓VGS(TH)VDS=VGS,ID=250μA2
4V
靜態(tài)漏源導通電阻RDS(ON)VGS=10V,ID=9A

0.18Ω
輸入電容CissVDS=25V,VGS=0V,F=1.0MHz
12301670pF
輸出電容Coss
200260
反向傳輸電容Crss
2533
開啟延遲時間td(on)VDD=100V,ID=18A,RG=25Ω

1640nS
開啟上升時間tr
133275
關斷延遲時間td(off)
3885
開啟下降時間tf
62135
柵極總電荷QgVDS=160V,ID=18A,VGS=10V
2026nC
柵源電荷密度Qgs
5.6
柵漏電和密度Qgd
10


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