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產(chǎn)品分類

Product Categories
貼片NMOS管FIR15N10LG TO-252
貼片NMOS管FIR15N10LG TO-252
產(chǎn)品品牌:美國福斯特
產(chǎn)品類型:中低壓功率MOS管
產(chǎn)品型號:FIR15N10LG
產(chǎn)品封裝:TO-252
產(chǎn)品標(biāo)題:100V低壓MOSFET福斯特FIR15N10LG TO-252貼片NMOS管
咨詢熱線:0769-89027776

產(chǎn)品詳情


100V低壓MOSFET福斯特FIR15N10LG TO-252貼片NMOS管



貼片NMOS管FIR15N10LG的應(yīng)用領(lǐng)域:

  • 筆記本的電源管理

  • 便攜式設(shè)備

  • 電池供電系統(tǒng)

  • 負(fù)載開關(guān)

  • DSC



貼片NMOS管FIR15N10LG的極限值:

參數(shù)符號數(shù)值單位
漏極-源極電壓VDSS100V
柵極-源極電壓VGS±20V
漏極電流-連續(xù)ID15A
功耗PD35W
工作結(jié)溫TJ
-55~150



貼片NMOS管FIR15N10LG的電特性:

參數(shù)符號測試條件最小值典型值最大值單位
漏極-源極擊穿電壓BVDSSVGS=0V,ID=250μA100

V
零柵壓漏極電流IDSSVDS=80V,VGS=0V

1μA
柵極漏電流IGSSVGS=±20V,VGS=0V

±100nA
柵極開啟電壓VGS(TH)VDS=VGS,ID=250μA1
3V
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻RDS(ON)VGS=10V,ID=8A
80100
輸入電容CissVDS=15V,VGS=0V,F=1MHz
700
pF
輸出電容Coss
70
反向傳輸電容Crss
50
開啟延遲時間td(on)

VDD=50V,RL=5Ω,

VGEN=10V,RG=1Ω


11
nS
開啟上升時間tr
30
關(guān)斷延遲時間td(off)
35
開啟下降時間tf
3.5
柵極總電荷QgVDS=80V,ID=10A,VGS=4.8V
22
nC
柵源電荷密度Qgs
4
柵漏電和密度Qgd
7


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