高壓MOS管FIR13N50FGTO-220F 500V/13A塑封N溝道MOS管
高壓MOS管 FIR13N50FG的特點(diǎn)：
快速切換
低門極電荷
低反向傳輸電容
高壓MOS管 FIR13N50FG的應(yīng)用：
適配器和充電器的電源開關(guān)電路
高壓MOS管 FIR13N50FG的極限值：
| 參數(shù) | 符號 | 數(shù)值 | 單位 |
| 漏極-源極電壓 | VDSS | 500 | V |
| 柵極-源極電壓 | VGS | ±30 | V |
| 漏極電流-連續(xù) | ID | 13 | A |
| 單脈沖雪崩能量 | EAS | 900 | mJ |
| 雪崩電流 | IAR | 12.7 | A |
| 功耗 | PD | 150 | W |
| 工作結(jié)溫 | TJ | 150 | ℃ |
| 存儲溫度范圍 | TSTG | -55~150 |
高壓MOS管 FIR13N50FG的電特性：
| 參數(shù) | 符號 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
| 漏極-源極擊穿電壓 | BVDSS | VGS=0V,ID=250μA | 500 | V | ||
| 零柵壓漏極電流 | IDSS | VDS=500V,VGS=0V,Ta=25℃ | 1 | μA | ||
| VDS=400V,VGS=0V,Ta=125℃ | 100 | |||||
| 柵極漏電流 | IGSS | VGS=±30V | ±100 | nA | ||
| 柵極開啟電壓 | VGS(TH) | VDS=VGS,ID=250μA | 2 | 3 | 4 | V |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 | RDS(ON) | VGS=10V,ID=6.5A | 0.4 | 0.5 | Ω | |
| 輸入電容 | Ciss | VDS=25V,VGS=0V,F=1.0MHz | 2000 | pF | ||
| 輸出電容 | Coss | 190 | ||||
| 反向傳輸電容 | Crss | 10 | ||||
| 開啟延遲時間 | td(on) | VDD=250V,ID=13A,VGS=10V,RG=6.1Ω | 20 | nS | ||
| 開啟上升時間 | tr | 50 | ||||
| 關(guān)斷延遲時間 | td(off) | 70 | ||||
| 開啟下降時間 | tf | 45 | ||||
| 柵極總電荷 | Qg | VDD=400V,ID=13A,VGS=10V | 90 | nC | ||
| 柵源電荷密度 | Qgs | 15 | ||||
| 柵漏電和密度 | Qgd | 45 |
網(wǎng)站首頁可控硅集成電路MOS管產(chǎn)品中心生產(chǎn)實(shí)力技術(shù)支持新聞資訊關(guān)于宇芯聯(lián)系我們
掃二維碼進(jìn)入手機(jī)網(wǎng)站 
掃二維碼進(jìn)入微信 
