650V/10A高壓NMOS管TO-263 FIR10N65RG貼片MOSFET
貼片MOSFET FIR10N65RG的特點(diǎn)：
低門極電荷
低反向傳輸電容
快速切換
貼片MOSFET FIR10N65RG的極限值：
| 參數(shù) | 符號(hào) | 數(shù)值 | 單位 |
| 漏極-源極電壓 | VDSS | 650 | V |
| 柵極-源極電壓 | VGS | ±30 | V |
| 漏極電流-連續(xù) | ID | 10 | A |
| 單脈沖雪崩能量 | EAS | 520 | mJ |
| 雪崩電流 | IAR | 10 | A |
| 功耗 | PD | 60 | W |
| 工作結(jié)溫 | TJ | 150 | ℃ |
| 存儲(chǔ)溫度范圍 | TSTG | -55~150 |
貼片MOSFET FIR10N65RG的電特性：
| 參數(shù) | 符號(hào) | 測(cè)試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
| 漏極-源極擊穿電壓 | BVDSS | VGS=0V,ID=250μA | 650 | V | ||
| 零柵壓漏極電流 | IDSS | VDS=300V,VGS=0V | 0.1 | μA | ||
| VDS=520V,Tj=125℃ | 100 | |||||
| 柵極漏電流 | IGSS | VGS=±30V,VGS=0V | ±100 | nA | ||
| 柵極開啟電壓 | VGS(TH) | VDS=VGS,ID=250μA | 2 | 5 | V | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 | RDS(ON) | VGS=10V,ID=5A | 0.72 | 0.9 | Ω | |
| 輸入電容 | Ciss | VDS=25V,VGS=0V,F=1.0MHz | 2100 | 2240 | pF | |
| 輸出電容 | Coss | 166 | 215 | |||
| 反向傳輸電容 | Crss | 18 | 24 | |||
| 開啟延遲時(shí)間 | td(on) | VDD=300V,ID=10A,RG=25Ω | 23 | 55 | nS | |
| 開啟上升時(shí)間 | tr | 66 | 150 | |||
| 關(guān)斷延遲時(shí)間 | td(off) | 144 | 300 | |||
| 開啟下降時(shí)間 | tf | 77 | 165 | |||
| 柵極總電荷 | Qg | VDD=480V,ID=10A,VGS=10V | 43 | nC | ||
| 柵源電荷密度 | Qgs | 25 | ||||
| 柵漏電和密度 | Qgd | 18 |
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