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產(chǎn)品分類

Product Categories
50N04 SOP-8 40V低壓NMOS管
50N04 SOP-8 40V低壓NMOS管
產(chǎn)品品牌:宇芯微
產(chǎn)品類型:中低壓MOS管
產(chǎn)品型號(hào):50N04
產(chǎn)品封裝:SOP-8
產(chǎn)品標(biāo)題:宇芯微 3.5mΩ 50N04 SOP-8 40V低壓NMOS管 電機(jī)用場(chǎng)效應(yīng)管
咨詢熱線:0769-89027776

產(chǎn)品詳情


宇芯微 3.5mΩ 50N04 SOP-8 40V低壓NMOS管 電機(jī)用場(chǎng)效應(yīng)管



電機(jī)用場(chǎng)效應(yīng)管 50N04的應(yīng)用領(lǐng)域:

  • BMS

  • 無(wú)刷直流電機(jī)

  • UPS 不間斷電源



電機(jī)用場(chǎng)效應(yīng)管 50N04的極限值:

(如無(wú)特殊說(shuō)明,TC=25℃)

符號(hào)參數(shù)數(shù)值單位
VDS漏極-源極電壓40V
VGS柵極-源極電壓±20
ID漏極電流-連續(xù)(TC=25℃)50A
漏極電流-連續(xù)(TC=100℃)30
IDM漏極電流-脈沖300
EAS單脈沖雪崩能量525mJ
PD總耗散功率 TC=25℃130W
TSTG存儲(chǔ)溫度-55~150
TJ工作結(jié)溫-55~150
RθJA結(jié)到環(huán)境的熱阻35℃/W
RθJC結(jié)到管殼的熱阻1.5



電機(jī)用場(chǎng)效應(yīng)管 50N04的電特性:

(如無(wú)特殊說(shuō)明,TJ=25℃)

符號(hào)
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓4047
V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=10V,ID=30A


2.53.5

靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=4.5V,ID=20A


3.85
VGS(th)
柵極開啟電壓11.52.5V
IDSS

零柵壓漏極電流

VDS=40V,VGS=0V



1uA
IGSS

柵極漏電流



±100nA
Qg柵極電荷
95
nC
Qgs柵源電荷密度
15
Qgd柵漏電荷密度
11
Ciss輸入電容
3162
pF
Coss輸出電容
1099
Crss反向傳輸電容
157
td(on)開啟延遲時(shí)間
12.5
ns
tr開啟上升時(shí)間
7
td(off)關(guān)斷延遲時(shí)間
50
tf
開啟下降時(shí)間
8.5


宇芯微 3.5mΩ 50N04 SOP-8 40V低壓NMOS管 電機(jī)用場(chǎng)效應(yīng)管


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