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產(chǎn)品分類

Product Categories
70N02 PDFN5X6-8L 低壓增強(qiáng)型MOS管
70N02 PDFN5X6-8L 低壓增強(qiáng)型MOS管
產(chǎn)品品牌：宇芯微
產(chǎn)品類型：中低壓MOS管
產(chǎn)品型號(hào)：70N02
產(chǎn)品封裝：PDFN5X6-8L
產(chǎn)品標(biāo)題：負(fù)載開關(guān)MOS管 5.5mΩ 70N02 PDFN5X6-8L 低壓增強(qiáng)型MOS管
咨詢熱線：0769-89027776

產(chǎn)品詳情


負(fù)載開關(guān)MOS管 5.5mΩ 70N02 PDFN5X6-8L 低壓增強(qiáng)型MOS管



負(fù)載開關(guān)MOS管 70N02的應(yīng)用領(lǐng)域：

  • 電池保護(hù)

  • 負(fù)載開關(guān)

  • UPS 不間斷電源



負(fù)載開關(guān)MOS管 70N02的極限參數(shù)：

(如無特殊說明，TC=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS：20V

  • 柵極-源極電壓 VGS：±12V

  • 漏極電流-連續(xù) ID：60A

  • 漏極電流-脈沖 IDM：210A

  • 單脈沖雪崩能量 EAS：56.2mJ

  • 總耗散功率 PD：57W

  • 存儲(chǔ)溫度 TSTG：-55~+175℃

  • 工作結(jié)溫 TJ：-55~+175℃

  • 結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA：62℃/W

  • 結(jié)到管殼的熱阻 RθJC：2.63℃/W



負(fù)載開關(guān)MOS管 70N02的電特性：

(如無特殊說明，TC=25℃)

符號(hào)
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓2024
V
RDS(ON)

靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=4.5V,ID=30A


3.85.5mΩ

靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=2.5V,ID=20A


7.49
VGS(th)
柵極開啟電壓0.50.71.2V
IDSS

零柵壓漏極電流



1uA
IGSS

柵極漏電流



±100nA
Qg柵極電荷
32
nC
Qgs柵源電荷密度
3
Qgd柵漏電荷密度
11
Ciss輸入電容
2500
pF
Coss輸出電容
407
Crss反向傳輸電容
386
td(on)開啟延遲時(shí)間
17
ns
tr開啟上升時(shí)間
49
td(off)關(guān)斷延遲時(shí)間
74
tf
開啟下降時(shí)間
26


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