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低壓貼片MOSFET 50N02 PDFN5X6-8L NMOS MCU驅(qū)動用MOS管

低壓貼片MOSFET 50N02的主要特點：

• V_DS=20V

• I_D=53A

• R_DS(ON)＜8.5mΩ@V_GS=4.5V(Type：6.2mΩ)

• 封裝形式：PDFN5X6-8L
  

低壓貼片MOSFET 50N02的極限值：

(如無特殊說明，T_C=25℃)

• 漏極-源極電壓 V_DS：20V

• 柵極-源極電壓 V_GS：±12V

• 漏極電流-連續(xù) I_D：50A

• 漏極電流-脈沖 I_DM：120A

• 單脈沖雪崩能量 E_AS：147.6mJ

• 總耗散功率 P_D：37W

• 存儲溫度 T_STG：-55~+175℃

• 工作結(jié)溫 T_J：-55~+175℃

• 結(jié)到環(huán)境的熱阻 R_θJA：25℃/W

• 結(jié)到管殼的熱阻 R_θJC：4℃/W

低壓貼片MOSFET 50N02的電特性：

(如無特殊說明，T_J=25℃)