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產(chǎn)品分類

Product Categories
40VNMOSFET 200N04 PDFN5X6-8L
40VNMOSFET 200N04 PDFN5X6-8L
產(chǎn)品品牌:宇芯微
產(chǎn)品類型:中低壓MOS管
產(chǎn)品型號(hào):200N04
產(chǎn)品封裝:PDFN5X6-8L
產(chǎn)品標(biāo)題:40VNMOSFET 200N04 PDFN5X6-8L UPS用MOS管 1mΩ低內(nèi)阻MOS
咨詢熱線:0769-89027776

產(chǎn)品詳情


40VNMOSFET 200N04 PDFN5X6-8L UPS用MOS管 1mΩ低內(nèi)阻MOS



UPS用MOS管 200N04的產(chǎn)品特點(diǎn):

  • BMS 電池管理系統(tǒng)

  • BLDC 無刷直流電機(jī)

  • UPS 不間斷電源



UPS用MOS管 200N04的極限值:

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號(hào)參數(shù)數(shù)值單位
VDS漏極-源極電壓40V
VGS柵極-源極電壓±20
ID漏極電流-連續(xù) TC=25℃200A
漏極電流-連續(xù) TC=100℃130
IDM漏極電流-脈沖800
EAS單脈沖雪崩能量420mJ
IAS雪崩電流70A
PD總耗散功率 TC=25℃68W
TSTG存儲(chǔ)溫度-55~150
TJ工作結(jié)溫-55~150
RθJA結(jié)到環(huán)境的熱阻25℃/W
RθJC
結(jié)到管殼的熱阻1.4



UPS用MOS管 200N04的電特性:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號(hào)
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓4048
V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=10V,ID=30A


0.751
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=4.5V,ID=20A


1.11.5
VGS(th)
柵極開啟電壓11.52.5V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
125
nC
Qgs柵源電荷密度

18


Qgd柵漏電荷密度
13
Ciss輸入電容
7400
pF
Coss輸出電容
1930
Crss反向傳輸電容
110
td(on)開啟延遲時(shí)間
14.1
ns
tr開啟上升時(shí)間

7.9


td(off)關(guān)斷延遲時(shí)間
56.5
tf
開啟下降時(shí)間
9.6


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