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產(chǎn)品分類

Product Categories
190N15 TO-263 中低壓國產(chǎn)NMOS
190N15 TO-263 中低壓國產(chǎn)NMOS
產(chǎn)品品牌：宇芯微
產(chǎn)品類型：中低壓MOS管
產(chǎn)品型號(hào)：190N15
產(chǎn)品封裝：TO-263
產(chǎn)品標(biāo)題：7.5mΩ 低內(nèi)阻MOS 190N15 TO-263 中低壓國產(chǎn)NMOS 150V/190A 常用MOSFET
咨詢熱線：0769-89027776

產(chǎn)品詳情


7.5mΩ 低內(nèi)阻MOS 190N15 TO-263 中低壓國產(chǎn)NMOS 150V/190A 常用MOSFET



低內(nèi)阻MOS 190N15的應(yīng)用領(lǐng)域：

  • DC/DC 轉(zhuǎn)換器

  • LED 背景照明

  • 電源管理開關(guān)



低內(nèi)阻MOS 190N15的極限值：

(如無特殊說明，TC=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS：150V

  • 柵極-源極電壓 VGS：±20V

  • 漏極電流-連續(xù) ID：190A

  • 漏極電流-脈沖 IDM：550A

  • 單脈沖雪崩能量 EAS：506mJ

  • 雪崩電流 IAS：53.4A

  • 總耗散功率 PD：210W

  • 存儲(chǔ)溫度 TSTG：-55~150℃

  • 工作結(jié)溫 TJ：-55~150℃



低內(nèi)阻MOS 190N15的電特性：

(如無特殊說明，TC=25℃)

符號(hào)
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓150

V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=10V,ID=20A


6.67.5mΩ
VGS(th)
柵極開啟電壓22.94V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
18
nC
Qgs柵源電荷密度

10


Qgd柵漏電荷密度
72
Ciss輸入電容
5240
pF
Coss輸出電容
412
Crss反向傳輸電容
10
td(on)開啟延遲時(shí)間
22
ns
tr開啟上升時(shí)間

115


td(off)關(guān)斷延遲時(shí)間
44
tf
開啟下降時(shí)間
105


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