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產(chǎn)品分類

Product Categories
190A大電流MOS管 190N15 TO-220
190A大電流MOS管 190N15 TO-220
產(chǎn)品品牌:宇芯微
產(chǎn)品類型:中低壓MOS管
產(chǎn)品型號:190N15
產(chǎn)品封裝:TO-220
產(chǎn)品標題:190A大電流MOS管 190N15 TO-220 7.5mΩ 背景照明用MOS 國產(chǎn)MOSFET
咨詢熱線:0769-89027776

產(chǎn)品詳情


190A大電流MOS管 190N15 TO-220 7.5mΩ 背景照明用MOS 國產(chǎn)MOSFET



背景照明用MOS 190N15的產(chǎn)品特點:

  • VDS=150V

  • ID=190A

  • RDS(ON)<7.5mΩ@VGS=10V(Type:6.6nΩ)

  • 封裝:TO-220



背景照明用MOS 190N15的應(yīng)用領(lǐng)域:

  • DC/DC 轉(zhuǎn)換器

  • LED 背景照明

  • 電源管理開關(guān)



背景照明用MOS 190N15的極限參數(shù):

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號參數(shù)數(shù)值單位
VDS漏極-源極電壓150V
VGS柵極-源極電壓±20
ID漏極電流-連續(xù) TC=25℃190A
漏極電流-連續(xù) TC=100℃140
IDM漏極電流-脈沖550
EAS單脈沖雪崩能量506mJ
IAS雪崩電流53.4A
PD總耗散功率 TC=25℃210W
TSTG存儲溫度-55~150
TJ工作結(jié)溫-55~150



背景照明用MOS 190N15的電特性:

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓150

V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=10V,ID=20A


6.67.5
VGS(th)
柵極開啟電壓22.94V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
18
nC
Qgs柵源電荷密度

10


Qgd柵漏電荷密度
72
Ciss輸入電容
5240
pF
Coss輸出電容
412
Crss反向傳輸電容
10
td(on)開啟延遲時間
22
ns
tr開啟上升時間

115


td(off)關(guān)斷延遲時間
44
tf
開啟下降時間
105


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