國產(chǎn)MOSFET 120N06 TO-220 65V低壓NMOS 插件大電流MOS
國產(chǎn)MOSFET 120N06的產(chǎn)品特點(diǎn)：
VDS=65V
ID=125A
RDS(ON)＜5.6mΩ@VGS=10V(Type：4.8mΩ)
封裝：TO-220
國產(chǎn)MOSFET 120N06的極限值：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 65 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±25 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù) | 125 | A |
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 492 | |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 225 | mJ |
| IAS | 雪崩電流 | 55 | A |
| PD | 總耗散功率 | 172 | W |
| TSTG | 存儲(chǔ)溫度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 | |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 62.5 | ℃/W |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 1.4 |
國產(chǎn)MOSFET 120N06的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 65 | 72 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=55A | 4.8 | 5.6 | mΩ | |
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 2 | 2.8 | 4 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 77 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 18 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 30 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 3135 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 521 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 306 | |||
| td(on) | 開啟延遲時(shí)間 | 15 | ns | ||
| tr | 開啟上升時(shí)間 | 89 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 36 | |||
| tf | 開啟下降時(shí)間 | 91 |
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