替換MOSFET 100N03 TO-251 30VN溝道MOS管 大電流場效應管
替換MOSFET 100N03的產(chǎn)品特點：
VDS=30V
ID=100A
RDS(ON)＜6.5mΩ@VGS=10V(Type：4.5mΩ)
封裝：TO-251
替換MOSFET 100N03的引腳圖：
替換MOSFET 100N03的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 30 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù) TC=25℃ | 100 | A |
| 漏極電流-連續(xù) TC=75℃ | 55 | ||
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 240 | |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 56 | mJ |
| IAS | 雪崩電流 | 15 | A |
| PD | 總耗散功率 TC=25℃ | 46 | W |
| 總耗散功率 TA=25℃ | 2.72 | ||
| TSTG | 存儲溫度 | -55~175 | ℃ |
| TJ | 工作結溫 | -55~175 | |
| RθJA | 結到環(huán)境的熱阻 | 62 | ℃/W |
| RθJC | 結到管殼的熱阻 | 2.72 |
替換MOSFET 100N03的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 30 | 32 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導通電阻 VGS=10V,ID=30A | 4.5 | 6.5 | mΩ | |
| 靜態(tài)漏源導通電阻 VGS=4.5V,ID=20A | 7.5 | 12 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1 | 1.5 | 2.5 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 33.7 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 8.5 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 7.5 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 1614 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 245 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 215 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 7.5 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 14.5 | |||
| td(off) | 關斷延遲時間 | 35.2 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 9.6 |
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