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產(chǎn)品分類

Product Categories
90N02 TO-252 超低內(nèi)阻NMOS
90N02 TO-252 超低內(nèi)阻NMOS
產(chǎn)品品牌：宇芯微
產(chǎn)品類型：中低壓MOS管
產(chǎn)品型號：90N02
產(chǎn)品封裝：TO-252
產(chǎn)品標(biāo)題：宇芯微 低壓MOSFET 90N02 TO-252 超低內(nèi)阻NMOS 3.5mΩ UPS用場效應(yīng)管
咨詢熱線：0769-89027776

產(chǎn)品詳情


宇芯微 低壓MOSFET 90N02 TO-252 超低內(nèi)阻NMOS 3.5mΩ UPS用場效應(yīng)管



低壓MOSFET 90N02的產(chǎn)品主要參數(shù)：

  • VDS=20V

  • ID=90A

  • RDS(ON)＜3.5mΩ@VGS=4.5V(Type：2.8mΩ)

  • 封裝：TO-252



低壓MOSFET 90N02的極限值：

(如無特殊說明，TC=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS：20V

  • 柵極-源極電壓 VGS：±12V

  • 漏極電流-連續(xù) ID：90A

  • 漏極電流-脈沖 IDM：360A

  • 單脈沖雪崩能量 EAS：110mJ

  • 總耗散功率 PD：81W

  • 結(jié)到管殼的熱阻 RθJC：1.85℃/W

  • 存儲溫度 TSTG：-55~175℃

  • 工作結(jié)溫 TJ：-55~175℃



低壓MOSFET 90N02的電特性：

(如無特殊說明，TC=25℃)

符號
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓2022
V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=4.5V,ID=30A


2.83.5mΩ
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=2.5V,ID=20A


46
VGS(th)
柵極開啟電壓0.50.681V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
48
nC
Qgs柵源電荷密度

3.6


Qgd柵漏電荷密度
19
Ciss輸入電容
3200
pF
Coss輸出電容
460
Crss反向傳輸電容
445
td(on)開啟延遲時間
9.7
ns
tr開啟上升時間

37


td(off)關(guān)斷延遲時間
63
tf
開啟下降時間
52


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