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產(chǎn)品分類

Product Categories
中低壓PMOS管 80P10 TO-220
中低壓PMOS管 80P10 TO-220
產(chǎn)品品牌:宇芯微
產(chǎn)品類型:中低壓MOS管
產(chǎn)品型號(hào):80P10
產(chǎn)品封裝:TO-220
產(chǎn)品標(biāo)題:中低壓PMOS管 80P10 TO-220 MOS管引腳圖 -100V/-80A 馬達(dá)場(chǎng)效應(yīng)管
咨詢熱線:0769-89027776

產(chǎn)品詳情


中低壓PMOS管 80P10 TO-220 MOS管引腳圖 -100V/-80A 馬達(dá)場(chǎng)效應(yīng)管



中低壓PMOS管 80P10的應(yīng)用領(lǐng)域:

  • 馬達(dá)

  • 負(fù)載開(kāi)關(guān)

  • UPS 不間斷電源



中低壓PMOS管 80P10的極限值:

(如無(wú)特殊說(shuō)明,TC=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS:-100V

  • 柵極-源極電壓 VGS:±20V

  • 漏極電流-連續(xù) ID:-80A

  • 漏極電流-脈沖 IDM:-300A

  • 單脈沖雪崩能量 EAS:174mJ

  • 雪崩電流 IAS:-50A

  • 總耗散功率 PD:280W

  • 存儲(chǔ)溫度 TSTG:-55~+150℃

  • 工作結(jié)溫 TJ:-55~+150℃

  • 結(jié)到管殼的熱阻 RθJC:0.65℃/W

  • 結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA:62℃/W



馬達(dá)用PMOS管 80P10的電特性:

(如無(wú)特殊說(shuō)明,Tj=25℃)

符號(hào)
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓-100

V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=-10V,ID=-20A


1925
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=-4.5V,ID=-10A


2530
VGS(th)
柵極開(kāi)啟電壓-1-1.6-2.5V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
80
nC
Qgs柵源電荷密度

15.6


Qgd柵漏電荷密度
17.2
Ciss輸入電容
4230
pF
Coss輸出電容
388
Crss反向傳輸電容
26
td(on)開(kāi)啟延遲時(shí)間
26
ns
tr開(kāi)啟上升時(shí)間

78


td(off)關(guān)斷延遲時(shí)間
200
tf
開(kāi)啟下降時(shí)間
210


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