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產(chǎn)品分類

Product Categories
70N12 TO-263 馬達(dá)應(yīng)用MOS管
70N12 TO-263 馬達(dá)應(yīng)用MOS管
產(chǎn)品品牌：宇芯微
產(chǎn)品類型：中低壓MOS管
產(chǎn)品型號(hào)：70N12
產(chǎn)品封裝：TO-263
產(chǎn)品標(biāo)題：70N12 TO-263 馬達(dá)應(yīng)用MOS管 低內(nèi)阻替代MOS 國產(chǎn)N溝道MOS
咨詢熱線：0769-89027776

產(chǎn)品詳情


70N12 TO-263 馬達(dá)應(yīng)用MOS管 低內(nèi)阻替代MOS 國產(chǎn)N溝道MOS



馬達(dá)應(yīng)用MOS管 70N12的應(yīng)用領(lǐng)域：

  • 手機(jī)快充

  • 無刷馬達(dá)

  • 家用電器控制板



馬達(dá)應(yīng)用MOS管 70N12的產(chǎn)品特點(diǎn)：

  • VDS=120V

  • ID=70A

  • RDS(ON)＜13mΩ@VGS=10V(Type：10mΩ)

  • 封裝：TO-263



馬達(dá)應(yīng)用MOS管 70N12的極限值：

(如無特殊說明，TC=25℃)

符號(hào)參數(shù)數(shù)值單位
VDS漏極-源極電壓120
V
VGS柵極-源極電壓±20
ID

漏極電流-連續(xù) TC=25℃

70A
IDM漏極電流-脈沖 TC=25℃150
EAS單脈沖雪崩能量
53.8mJ
PD總耗散功率140W
RθJA結(jié)到環(huán)境的熱阻62℃/W
RθJC結(jié)到管殼熱阻0.89
TSTG存儲(chǔ)溫度-55~+150℃
TJ工作結(jié)溫-55~+150



馬達(dá)應(yīng)用MOS管 70N12的電特性：

(如無特殊說明，TJ=25℃)

符號(hào)
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓120

V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=10V,ID=30A


1013mΩ
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=4.5V,ID=20A


1518
VGS(th)
柵極開啟電壓1.21.82.5V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
33.1
nC
Qgs柵源電荷密度

5.6


Qgd柵漏電荷密度
7.2
Ciss輸入電容
2640.1
pF
Coss輸出電容
330.1
Crss反向傳輸電容
11.2
td(on)開啟延遲時(shí)間
22.3
ns
tr開啟上升時(shí)間

9.7


td(off)關(guān)斷延遲時(shí)間
85
tf
開啟下降時(shí)間
112.3


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