宇芯微 65N06 PDFN3X3-8L 低內(nèi)阻小MOS 60V/65A MOSFET價格
低內(nèi)阻小MOS 65N06的產(chǎn)品應(yīng)用：
電池保護
負載開關(guān)
UPS 不間斷電源
低內(nèi)阻小MOS 65N06的極限值：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 60 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù) TA=25℃ | 20 | A |
| 漏極電流-連續(xù) TA=70℃ | 11 | ||
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 60 | |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 30 | mJ |
| PD | 總耗散功率 TA=25℃ | 60 | W |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 85 | ℃/W |
| RθJC | 結(jié)到管殼熱阻 | 2.1 | |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~+150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~+150 |
低內(nèi)阻小MOS 65N06的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 60 | 68 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=20A | 7.5 | 10 | mΩ | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=10A | 10 | 13 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1.2 | 1.5 | 2.5 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 18.4 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 3.3 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 3.1 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 1182.1 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 199.5 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 4.1 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 17.9 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 4 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時間 | 34.9 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 5.5 |
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