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產(chǎn)品分類

Product Categories
60N25 TO-263 貼片250VNMOS管
60N25 TO-263 貼片250VNMOS管
產(chǎn)品品牌：宇芯微
產(chǎn)品類型：中低壓MOS管
產(chǎn)品型號(hào)：60N25
產(chǎn)品封裝：TO-263
產(chǎn)品標(biāo)題：國產(chǎn)替代MOS 60N25 TO-263 貼片250VNMOS管 UPS用場效應(yīng)管
咨詢熱線：0769-89027776

產(chǎn)品詳情


國產(chǎn)替代MOS 60N25 TO-263 貼片250VNMOS管 UPS用場效應(yīng)管



國產(chǎn)替代MOS 60N25的應(yīng)用領(lǐng)域：

  • UPS

  • BLDC



國產(chǎn)替代MOS 60N25的極限值：

(如無特殊說明，TC=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS：250V

  • 柵極-源極電壓 VGS：±30V

  • 漏極電流-連續(xù) ID：60A

  • 漏極電流-脈沖 IDM：230A

  • 單脈沖雪崩能量 EAS：300mJ

  • 雪崩電流 IAS：45A

  • 總耗散功率 PD：360W

  • 結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA：60℃/W

  • 結(jié)到管殼的熱阻 RθJC：0.45℃/W

  • 存儲(chǔ)溫度 TSTG：-55~150℃

  • 工作結(jié)溫 TJ：-55~150℃



國產(chǎn)替代MOS 60N25的電特性：

(如無特殊說明，TJ=25℃)

符號(hào)
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓250

V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=10V,ID=35A


2833mΩ
VGS(th)
柵極開啟電壓3.6
5V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
200
nC
Qgs柵源電荷密度

28
Qgd柵漏電荷密度
60
Ciss輸入電容
7000
pF
Coss輸出電容
480
Crss反向傳輸電容
210
td(on)開啟延遲時(shí)間
45
ns
tr開啟上升時(shí)間

70


td(off)關(guān)斷延遲時(shí)間
110
tf
開啟下降時(shí)間
90


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