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60N06 TO-220F 超低內(nèi)阻NMOS 塑封MOSFET 場效應(yīng)管絲印

塑封MOSFET 60N06的產(chǎn)品特點：

• V_DS=60V

• I_D=60A

• R_DS(ON)＜15mΩ@V_GS=10V(Type：11mΩ)

• 封裝：TO-220F
  

塑封MOSFET 60N06的應(yīng)用：

• 電池保護(hù)

• 負(fù)載開關(guān)

• UPS 不間斷電源

塑封MOSFET 60N06的極限值：

(如無特殊說明，T_C=25℃)

• 漏極-源極電壓 V_DS：60V

• 柵極-源極電壓 V_GS：±20V

• 漏極電流-連續(xù) I_D：60A

• 漏極電流-脈沖 I_DM：180A

• 單脈沖雪崩能量 E_AS：39.2mJ

• 雪崩電流 I_AS：38A

• 總耗散功率 P_D：45W

• 結(jié)到環(huán)境的熱阻 R_θJA：62.5℃/W

• 結(jié)到管殼的熱阻 R_θJC：2.8℃/W

• 存儲溫度 T_STG：-55~150℃

• 工作結(jié)溫 T_J：-55~150℃

塑封MOSFET 60N06的電特性：

(如無特殊說明，T_J=25℃)

60N06 TO-220F 超低內(nèi)阻NMOS 塑封MOSFET 場效應(yīng)管絲印