超小封裝MOS 20N02 QFN2X2-6L 20V低壓NMOS 15mΩ 太陽(yáng)能路燈用MOS
超小封裝MOS 20N02的應(yīng)用領(lǐng)域：
太陽(yáng)能路燈
負(fù)載開(kāi)關(guān)
UPS 不間斷電源
QFN2X2-6L
超小封裝MOS 20N02的引腳配置圖：
超小封裝MOS 20N02的極限值：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS：20V
柵極-源極電壓 VGS：±20V
漏極電流-連續(xù) ID：20A
漏極電流-脈沖 IDM：50A
單脈沖雪崩能量 EAS：8.1mJ
雪崩電流 IAS：12.7A
總耗散功率 PD：20.8W
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA：125℃/W
結(jié)到管殼的熱阻 RθJC：6℃/W
存儲(chǔ)溫度 TSTG：-55~150℃
工作結(jié)溫 TJ：-55~150℃
超小封裝MOS 20N02的電特性：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TJ=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| V(BR)DSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 20 | 22 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=7.6A | 11 | 15 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=2.5V,ID=3.5A | 15.5 | 20 | |||
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=1.8V,ID=2.5A | 20.5 | 35 | |||
| VGS(th) | 柵極開(kāi)啟電壓 | 0.5 | 0.65 | 1 | V |
| IDSS | 零柵壓漏極電流 VDS=20V，VGS=0V | 1 | uA | ||
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 11.05 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 1.73 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 3.1 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 888 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 133 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 117 | |||
| td(on) | 開(kāi)啟延遲時(shí)間 | 7 | ns | ||
| tr | 開(kāi)啟上升時(shí)間 | 46 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 30 | |||
| tf | 開(kāi)啟下降時(shí)間 | 52 |
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