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產(chǎn)品分類

Product Categories
10N04 SOT223-3L 40V/10A 低內(nèi)阻NMOS管
10N04 SOT223-3L 40V/10A 低內(nèi)阻NMOS管
產(chǎn)品品牌:宇芯微
產(chǎn)品類型:中低壓MOS管
產(chǎn)品型號:10N04
產(chǎn)品封裝:SOT223-3L
產(chǎn)品標(biāo)題:20mΩ 10N04 SOT223-3L 40V/10A 低內(nèi)阻NMOS管 汽車照明MOS管
咨詢熱線:0769-89027776

產(chǎn)品詳情


20mΩ 10N04 SOT223-3L 40V/10A 低內(nèi)阻NMOS管 汽車照明MOS管



低內(nèi)阻NMOS管 10N04的產(chǎn)品特點(diǎn):

  • VDS=40V

  • ID=10A

  • RDS(ON)<20mΩ@VGS=10V(Type:15mΩ)

  • 封裝:SOT223-3L



低內(nèi)阻NMOS管 10N04的產(chǎn)品應(yīng)用:

  • 汽車照明

  • 負(fù)載開關(guān)

  • UPS 不間斷電源



低內(nèi)阻NMOS管 10N04的極限值:

(如無特殊說明,TC=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS:40V

  • 柵極-源極電壓 VGS:±20V

  • 漏極電流-連續(xù) ID:10A

  • 漏極電流-脈沖 IDM:50A

  • 總耗散功率 PD:1.9W

  • 單脈沖雪崩能量 EAS:31mJ

  • 雪崩電流 IAS:25A

  • 結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA:65℃/W

  • 存儲(chǔ)溫度 TSTG:-55~150℃

  • 工作結(jié)溫 TJ:-55~150℃



低內(nèi)阻NMOS管 10N04的電特性:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓4044
V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=10V,ID=7A


1520
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=4.5V,ID=6A


1825
VGS(th)
柵極開啟電壓1
2.5V
IGSS柵極漏電流

±100nA
gfs正向跨導(dǎo)
32

S
Qg柵極電荷
9.8
nC
Qgs柵源電荷密度

2.8


Qgd柵漏電荷密度
3.9
Ciss輸入電容
1013
pF
Coss輸出電容
107
Crss反向傳輸電容
76
td(on)開啟延遲時(shí)間
2.8
ns
tr開啟上升時(shí)間

40.4


td(off)關(guān)斷延遲時(shí)間
22.8
tf
開啟下降時(shí)間
6.4


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