替代MOSFET 9N20 TO-220 插件中壓MOS管 200V/9A UPS電源MOS管
替代MOSFET 9N20的特點：
VDS=200V
ID=9A
RDS(ON)＜300mΩ@VGS=10V(Type：230mΩ)
封裝：TO-220
替代MOSFET 9N20的應(yīng)用領(lǐng)域：
不間斷電源（UPS）
功率因數(shù)校正（PFC）
替代MOSFET 9N20的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 200 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù) | 9 | A |
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 36 | |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 100 | mJ |
| IAR | 雪崩電流 | 7.5 | A |
| PD | 總耗散功率 | 74 | W |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 62.5 | ℃/W |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 1.7 | |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~+150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~+150 |
替代MOSFET 9N20的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 200 | 222 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=4.5A | 0.23 | 0.3 | Ω | |
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 2 | 3.5 | 4 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 23 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 2.5 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 10 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 684 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 103 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 37 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 12 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 22 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時間 | 50 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 48 |
網(wǎng)站首頁可控硅集成電路MOS管產(chǎn)品中心生產(chǎn)實力技術(shù)支持新聞資訊關(guān)于宇芯聯(lián)系我們
掃二維碼進入手機網(wǎng)站 
掃二維碼進入微信 
