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-30V P+P溝道MOS管 8V03 SOP-8 國產(chǎn)MOSFET 貼片MOS選型

P+P溝道MOS管 8V03的產(chǎn)品特點(diǎn)：

• V_DS=-30V

• I_D=-10A

• R_DS(ON)＜25mΩ@V_GS=10V(Type：16mΩ)

• 封裝：SOP-8
  

P+P溝道MOS管 8V03的應(yīng)用：

• 鋰電池保護(hù)

• 手機(jī)快充
  

P+P溝道MOS管 8V03的極限值：

(如無特殊說明，T_A=25℃)

• 漏極-源極電壓 V_DS：-30V

• 柵極-源極電壓 V_GS：±20V

• 漏極電流-連續(xù) I_D：-10A

• 漏極電流-脈沖 I_DM：-32A

• 單脈沖雪崩能量 E_AS：81.2mJ

• 總耗散功率 P_D：1.5W

• 結(jié)到環(huán)境的熱阻 R_θJA：85℃/W

• 結(jié)到管殼的熱阻 R_θJC：25℃/W

• 存儲溫度 T_STG：-55~150℃

• 工作結(jié)溫 T_J：-55~150℃

P+P溝道MOS管 8V03的電特性：

(如無特殊說明，T_J=25℃)