30VN+PMOS 6G03 SOT23-6 低內(nèi)阻場效應(yīng)管 國產(chǎn)功率MOS
30VN+PMOS 6G03的引腳圖：
30VN+PMOS 6G03的極限值：
1、N-CH：
VDS=30V
ID=6.8A
RDS(ON)＜25mΩ@VGS=10V(Type：18mΩ)
2、P-CH：
VDS=-30V
ID=-5.8A
RDS(ON)＜52mΩ@VGS=-10V(Type：42mΩ)
30VN+PMOS 6G03的應(yīng)用領(lǐng)域：
BLDC（無刷直流電機(jī)）
30VN+PMOS 6G03的極限參數(shù)：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 | |
| N-CH | P-CH | |||
| VDS | 漏極-源極電壓 | 30 | -30 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù) (TA=25℃) | 6.8 | -5.8 | A |
| 漏極電流-連續(xù) (TA=70℃) | 3.8 | -3 | ||
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 52 | -40 | |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 22 | 22 | mJ |
| PD | 總耗散功率 (TA=25℃) | 1.5 | 1.5 | W |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 105 | 105 | ℃/W |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 36 | 36 | |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~150 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 | -55~150 | |
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