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產(chǎn)品分類

Product Categories
4P05 SOT23-3L 低壓PMOS管
4P05 SOT23-3L 低壓PMOS管
產(chǎn)品品牌:宇芯微
產(chǎn)品類型:中低壓MOS管
產(chǎn)品型號:4P05
產(chǎn)品封裝:SOT23-3L
產(chǎn)品標題:小封裝MOS管 4P05 SOT23-3L 低壓PMOS管 -55V 常用PMOS
咨詢熱線:0769-89027776

產(chǎn)品詳情


小封裝MOS管 4P05 SOT23-3L 低壓PMOS管 -55V 常用PMOS



低壓PMOS管 4P05的產(chǎn)品特點:

  • VDS=-55V

  • ID=-4.2A

  • RDS(ON)<125mΩ@VGS=-10V(Type:108mΩ)

  • 封裝:SOT23-3L



低壓PMOS管 4P05的極限參數(shù):

(如無特殊說明,TC=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS:-55V

  • 柵極-源極電壓 VGS:±20V

  • 漏極電流-連續(xù) ID:-4.2A

  • 漏極電流-脈沖 IDM:-16A

  • 總耗散功率 PD:1W

  • 結到環(huán)境的熱阻 RθJA:125℃/W

  • 結到管殼的熱阻 RθJC:80℃/W

  • 存儲溫度 TSTG:-55~150℃

  • 工作結溫 TJ:-55~150℃



低壓PMOS管 4P05的電特性:

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓-55-58
V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導通電阻

VGS=-10V,ID=-1.5A


108125
靜態(tài)漏源導通電阻

VGS=-4.5V,ID=-1A


125155
VGS(th)
柵極開啟電壓-1-1.6-2.5V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
4.6
nC
Qgs柵源電荷密度

1.4
Qgd柵漏電荷密度
1.62
Ciss輸入電容
531
pF
Coss輸出電容
59
Crss反向傳輸電容
38
td(on)開啟延遲時間
17.4
ns
tr開啟上升時間

5.4


td(off)關斷延遲時間
37.2
tf
開啟下降時間
2.4

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