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產(chǎn)品分類

Product Categories
4N20 SOT23-3L 3.8A 中壓NMOS管
4N20 SOT23-3L 3.8A 中壓NMOS管
產(chǎn)品品牌:宇芯微
產(chǎn)品類型:中低壓MOS管
產(chǎn)品型號:4N20
產(chǎn)品封裝:SOT23-3L
產(chǎn)品標(biāo)題:宇芯微 200V場效應(yīng)管 4N20 SOT23-3L 3.8A 中壓NMOS管
咨詢熱線:0769-89027776

產(chǎn)品詳情


宇芯微 200V場效應(yīng)管 4N20 SOT23-3L 3.8A 中壓NMOS管



200V場效應(yīng)管 4N20的特點(diǎn):

  • VDS=200V

  • ID=3.8A

  • RDS(ON)<580mΩ@VGS=10V(Type:450mΩ)

  • SOT23-3L



200V場效應(yīng)管 4N20的極限值:

(如無特殊說明,TC=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS:200V

  • 柵極-源極電壓 VGS:±20V

  • 漏極電流-連續(xù) ID:3.8A

  • 漏極電流-脈沖 IDM:10A

  • 總耗散功率 PD:2W

  • 結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA:85℃/W

  • 結(jié)到管殼的熱阻 RθJC:3.9℃/W

  • 存儲溫度 TSTG:-55~150℃

  • 工作結(jié)溫 TJ:-55~150℃



200V場效應(yīng)管 4N20的電特性:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓200230
V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=10V,ID=1A


450580
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=4.5V,ID=1A


680850
VGS(th)
柵極開啟電壓1.222.5V
IDSS零柵壓漏極電流


1μA
IGSS

柵極漏電流



±100nA
Qg柵極電荷
15
nC
Qgs柵源電荷密度

3
Qgd柵漏電荷密度
5.2
Ciss輸入電容
900
pF
Coss輸出電容
130
Crss反向傳輸電容
4.6
td(on)開啟延遲時間
22
ns
tr開啟上升時間

34


td(off)關(guān)斷延遲時間
45
tf
開啟下降時間
11


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