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產(chǎn)品分類

Product Categories
-3A中壓PMOS 3P10 SOP-8
-3A中壓PMOS 3P10 SOP-8
產(chǎn)品品牌:宇芯微
產(chǎn)品類型:中低壓MOS管
產(chǎn)品型號:3P10
產(chǎn)品封裝:SOP-8
產(chǎn)品標題:-3A中壓PMOS 3P10 SOP-8 -100V電源MOS 國產(chǎn)MOSFET
咨詢熱線:0769-89027776

產(chǎn)品詳情


-3A中壓PMOS 3P10 SOP-8 -100V電源MOS 國產(chǎn)MOSFET



-3A中壓PMOS 3P10的產(chǎn)品特點:

  • VDS=-100V

  • ID=-3A

  • RDS(ON)<600mΩ@VGS=-10V(Type:450mΩ)

  • 封裝:SOP-8



-3A中壓PMOS 3P10的應用領域:

  • 電池保護

  • 負載開關

  • UPS 不間斷電源



-3A中壓PMOS 3P10的極限值:

(如無特殊說明,TC=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS:-100V

  • 柵極-源極電壓 VGS:±20V

  • 漏極電流-連續(xù) ID:-3A

  • 漏極電流-脈沖 IDM:-9.8A

  • 總耗散功率 PD:1W

  • 結到環(huán)境的熱阻 RθJA:85℃/W

  • 結到管殼的熱阻 RθJC:80℃/W

  • 存儲溫度 TSTG:-55~150℃

  • 工作結溫 TJ:-55~150℃



-3A中壓PMOS 3P10的電特性:

(如無特殊說明,TA=25℃)

符號
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓-100-111
V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導通電阻

VGS=-10V,ID=-0.8A


450600
靜態(tài)漏源導通電阻

VGS=-4.5V,ID=-0.4A


560700
VGS(th)
柵極開啟電壓-1-1.5-2.5V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
4.5
nC
Qgs柵源電荷密度

1.14
Qgd柵漏電荷密度
1.5
Ciss輸入電容
553
pF
Coss輸出電容
29
Crss反向傳輸電容
20
td(on)開啟延遲時間
13.6
ns
tr開啟上升時間

6.8


td(off)關斷延遲時間
34
tf
開啟下降時間
3


-3A中壓PMOS 3P10 SOP-8 -100V電源MOS 國產(chǎn)MOSFET


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