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低壓MOS 3G03 SOT23-6 30V N+P溝道MOS 常用場(chǎng)效應(yīng)管

N+P溝道MOS 3G03的管腳配置圖：

N+P溝道MOS 3G03的特點(diǎn)：

1、N-CH：

• V_DS=30V

• I_D=3.8A

• R_DS(ON)＜60mΩ@V_GS=10V

2、P-CH：

• V_DS=-30V

• I_D=-3.2A

• R_DS(ON)＜120mΩ@V_GS=10V

N+P溝道MOS 3G03的極限參數(shù)：

(如無(wú)特殊說(shuō)明，T_C=25℃)