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產(chǎn)品分類

Product Categories
110N04 TO-252 大電流MOS管
110N04 TO-252 大電流MOS管
產(chǎn)品品牌：宇芯微
產(chǎn)品類型：中低壓MOS管
產(chǎn)品型號：110N04
產(chǎn)品封裝：TO-252
產(chǎn)品標(biāo)題：N型MOSFET 110N04 TO-252 大電流MOS管 4.3mΩ低內(nèi)阻MOS
咨詢熱線：0769-89027776

產(chǎn)品詳情


N型MOSFET 110N04 TO-252 大電流MOS管 4.3mΩ低內(nèi)阻MOS



N型MOSFET 110N04的產(chǎn)品應(yīng)用：

  • 電池保護(hù)

  • 負(fù)載開關(guān)

  • UPS 不間斷電源



N型MOSFET 110N04的極限值：

(如無特殊說明，TJ=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS：40V

  • 柵極-源極電壓 VGS：±20V

  • 漏極電流-連續(xù) ID：110A

  • 漏極電流-脈沖 IDM：440A

  • 單脈沖雪崩能量 EAS：195mJ

  • 雪崩電流 IAS：42A

  • 總耗散功率 PD：108W

  • 存儲溫度 TSTG：-55~150℃

  • 工作結(jié)溫 TJ：-55~150℃

  • 結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA：62℃/W

  • 結(jié)到管殼的熱阻 RθJC：1.4℃/W



N型MOSFET 110N04的電特性：

(如無特殊說明，TJ=25℃)

符號
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓4044
V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=10V,ID=30A


3.54.3mΩ
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=4.5V,ID=20A


5.47.5
VGS(th)
柵極開啟電壓1.21.62.5V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
65
nC
Qgs柵源電荷密度

12.5
Qgd柵漏電荷密度
15
Ciss輸入電容
5595
pF
Coss輸出電容
411
Crss反向傳輸電容
340
td(on)開啟延遲時間
12
ns
tr開啟上升時間

16


td(off)關(guān)斷延遲時間
39
tf
開啟下降時間
15


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