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產(chǎn)品分類

Product Categories
8N10 SOT23-6 100V/8A 貼片NMOS管
8N10 SOT23-6 100V/8A 貼片NMOS管
產(chǎn)品品牌：宇芯微
產(chǎn)品類型：中低壓MOS管
產(chǎn)品型號：8N10
產(chǎn)品封裝：SOT23-6
產(chǎn)品標題：低壓場效應管 8N10 SOT23-6 100V/8A 貼片NMOS管 電源用MOS管
咨詢熱線：0769-89027776

產(chǎn)品詳情


低壓場效應管 8N10 SOT23-6 100V/8A 貼片NMOS管 電源用MOS管



貼片NMOS管 8N10的引腳圖：

image.png



貼片NMOS管 8N10的應用領域：

  • 鋰電充電

  • 負載開關

  • 不間斷電源



貼片NMOS管 8N10的極限值：

(如無特殊說明，TC=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS：100V

  • 柵極-源極電壓 VGS：±20V

  • 漏極電流-連續(xù) ID：8A

  • 漏極電流-脈沖 IDM：24A

  • 總耗散功率 PD：30W

  • 存儲溫度 TSTG：-55~+150℃

  • 工作結溫 TJ：-55~+150℃

  • 結到管殼的熱阻 RθJC：3.1℃/W

  • 結到環(huán)境的熱阻 RθJA：120℃/W



貼片NMOS管 8N10的電特性：

(如無特殊說明，TJ=25℃)

符號
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓100107
V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導通電阻

VGS=10V,ID=5A


80100mΩ
靜態(tài)漏源導通電阻

VGS=4.5V,ID=3A


95125
VGS(th)
柵極開啟電壓1.222.5V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
11.9
nC
Qgs柵源電荷密度

2.8
Qgd柵漏電荷密度
1.7
Ciss輸入電容
1100
pF
Coss輸出電容
55
Crss反向傳輸電容
40
td(on)開啟延遲時間
3.8
ns
tr開啟上升時間

25.8


td(off)關斷延遲時間
16
tf
開啟下降時間
8.8


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