100V場效應(yīng)管 100N10 TO-252 馬達(dá)用MOS管 8mΩ 低內(nèi)阻MOS
100V場效應(yīng)管 100N10的特點(diǎn)：
VDS=100V
ID=100A
RDS(ON)＜8mΩ@VGS=10V(Type：6mΩ)
封裝：TO-252
100V場效應(yīng)管 100N10的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 100 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù)(TA=25℃) | 100 | A |
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 210 | |
| PD | 總耗散功率 | 100 | W |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 100 | mJ |
| IAS | 雪崩電流 | 40 | A |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 62 | ℃/W |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 1.25 | |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 |
100V場效應(yīng)管 100N10的電特性：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 100 | 108 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=13.5A | 6 | 8 | mΩ | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=11.5A | 8.7 | 10.5 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1.2 | 1.8 | 2.3 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 45 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 9.5 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 4.8 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 3320 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 605 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 20 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 10 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 6.5 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時間 | 45 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 7.5 |
網(wǎng)站首頁可控硅集成電路MOS管產(chǎn)品中心生產(chǎn)實(shí)力技術(shù)支持新聞資訊關(guān)于宇芯聯(lián)系我們
掃二維碼進(jìn)入手機(jī)網(wǎng)站 
掃二維碼進(jìn)入微信 
