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產(chǎn)品分類

Product Categories
30V/180A 低壓NMOSFET 180N03 TO-252
30V/180A 低壓NMOSFET 180N03 TO-252
產(chǎn)品品牌：宇芯微
產(chǎn)品類型：中低壓MOS管
產(chǎn)品型號(hào)：180N03
產(chǎn)品封裝：TO-252
產(chǎn)品標(biāo)題：宇芯微 30V/180A 低壓NMOSFET 180N03 TO-252 貼片場(chǎng)效應(yīng)管
咨詢熱線：0769-89027776

產(chǎn)品詳情


宇芯微 30V/180A 低壓NMOSFET 180N03 TO-252 貼片場(chǎng)效應(yīng)管



低壓NMOSFET 180N03的產(chǎn)品應(yīng)用：

  • 鋰電保護(hù)

  • 負(fù)載開關(guān)

  • 不間斷電源



低壓NMOSFET 180N03的極限值：

(如無特殊說明，TC=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS：30V

  • 柵極-源極電壓 VGS：±20V

  • 漏極電流-連續(xù) ID：180A

  • 漏極電流-脈沖 IDM：500A

  • 總耗散功率 PD：187W

  • 存儲(chǔ)溫度 TSTG：-55~+175℃

  • 工作結(jié)溫 TJ：-55~+175℃

  • 結(jié)到管殼的熱阻 RθJC：0.8℃/W

  • 結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA：62℃/W



低壓NMOSFET 180N03的電特性：

(如無特殊說明，TJ=25℃)

符號(hào)
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓3038
V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=10V,ID=30A


2.13.2mΩ
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=4.5V,ID=15A


33.8
VGS(th)
柵極開啟電壓1.21.62.5V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
56.9
nC
Qgs柵源電荷密度

13.8
Qgd柵漏電荷密度
23.5
Ciss輸入電容
5850
pF
Coss輸出電容
720
Crss反向傳輸電容
525
td(on)開啟延遲時(shí)間
20.1
ns
tr開啟上升時(shí)間

6.3


td(off)關(guān)斷延遲時(shí)間
124.6
tf
開啟下降時(shí)間
15.8


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