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產(chǎn)品分類

Product Categories
30A/100V N溝道MOS管 30N10 TO-251
30A/100V N溝道MOS管 30N10 TO-251
產(chǎn)品品牌：宇芯微
產(chǎn)品類型：中低壓MOS管
產(chǎn)品型號：30N10
產(chǎn)品封裝：TO-251
產(chǎn)品標題：應用在汽車照明的MOS管 30A/100V N溝道MOS管 30N10 TO-251
咨詢熱線：0769-89027776

產(chǎn)品詳情


應用在汽車照明的MOS管 30A/100V N溝道MOS管 30N10 TO-251



N溝道MOS管 30N10的產(chǎn)品特點：

  • VDS=100V

  • ID=30A

  • RDS(ON)＜45mΩ@VGS=10V(Type：36mΩ)



N溝道MOS管 30N10的極限值：

(如無特殊說明，TC=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS：100V

  • 柵極-源極電壓 VGS：±20V

  • 漏極電流-連續(xù) ID：30A

  • 漏極電流-脈沖 IDM：90A

  • 總耗散功率 PD：42W

  • 存儲溫度 TSTG：-55~+150℃

  • 工作結溫 TJ：-55~+150℃

  • 結到管殼的熱阻 RθJC：3.6℃/W

  • 結到環(huán)境的熱阻 RθJA：62.5℃/W



N溝道MOS管 30N10的電特性：

(如無特殊說明，Tj=25℃)

符號
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓100107
V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導通電阻

VGS=10V,ID=10A


3648mΩ
靜態(tài)漏源導通電阻

VGS=4.5V,ID=6A


3955
VGS(th)
柵極開啟電壓11.52.2V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
20
nC
Qgs柵源電荷密度

3.1


Qgd柵漏電荷密度
14
Ciss輸入電容
1964
pF
Coss輸出電容
90
Crss反向傳輸電容
74
td(on)開啟延遲時間
11
ns
tr開啟上升時間

91


td(off)關斷延遲時間
40
tf
開啟下降時間
71


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