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產(chǎn)品分類

Product Categories
-20V 雙P溝道MOS 4953B SOP-8
-20V 雙P溝道MOS 4953B SOP-8
產(chǎn)品品牌:宇芯微
產(chǎn)品類型:中低壓MOS管
產(chǎn)品型號:4953B
產(chǎn)品封裝:SOP-8
產(chǎn)品標題:-20V 雙P溝道MOS 4953B SOP-8 MOSFET報價 鋰電池MOS
咨詢熱線:0769-89027776

產(chǎn)品詳情


-20V 雙P溝道MOS 4953B SOP-8 MOSFET報價 鋰電池MOS



雙P溝道MOS 4953B的管腳配置圖:

image.png



雙P溝道MOS 4953B的應用領域:

  • 鋰電池保護

  • 手機快充



雙P溝道MOS 4953B的極限值:

(如無特殊說明,TA=25℃)

符號參數(shù)數(shù)值單位
VDS漏極-源極電壓-20
V
VGS柵極-源極電壓±12
ID

漏極電流-連續(xù)

TA=25℃

-6.5A

漏極電流-連續(xù)

TA=70℃

-3.9
IDM漏極電流-脈沖-14
PD

總耗散功率

TA=25℃

1.5W
RθJA結(jié)到環(huán)境的熱阻85℃/W
RθJC結(jié)到管殼的熱阻25
TSTG存儲溫度-55~+150
TJ工作結(jié)溫-55~+150



雙P溝道MOS 4953B的電特性:

(如無特殊說明,Tj=25℃)

符號
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓-20

V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導通電阻

VGS=-4.5V,ID=-3.4A


4255
靜態(tài)漏源導通電阻

VGS=-2.5V,ID=-3A


5575
靜態(tài)漏源導通電阻

VGS=-1.8V,ID=-2.5A


85100
VGS(th)
柵極開啟電壓-0.4-0.62-1.2V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
5.41
nC
Qgs柵源電荷密度

1.17
Qgd柵漏電荷密度
1.24
Ciss輸入電容
438
pF
Coss輸出電容
76
Crss反向傳輸電容
62
td(on)開啟延遲時間
6.4
ns
tr開啟上升時間

21.8


td(off)關斷延遲時間
37.4
tf
開啟下降時間
34


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