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100V/160A N型MOSFET 160N10 TO-263 場(chǎng)效應(yīng)管型號(hào)大全 中低壓MOS管

N型MOSFET 160N10的產(chǎn)品特點(diǎn)：

• V_DS=100V

• I_D=160A

• R_DS(ON)＜4.2mΩ@V_GS=10V(Type：3.7mΩ)

• 封裝：TO-263

N型MOSFET 160N10的應(yīng)用領(lǐng)域：

• 電池保護(hù)

• 負(fù)載開關(guān)

• UPS 不間斷電源

N型MOSFET 160N10的極限參數(shù)：

(如無特殊說明，T_C=25℃)

• 漏極-源極電壓 V_DS：100V

• 柵極-源極電壓 V_GS：±20V

• 漏極電流-連續(xù) I_D：160A

• 漏極電流-脈沖 I_DM：600A

• 單脈沖雪崩能量 E_AS：540mJ

• 雪崩電流 I_AS：60A

• 總耗散功率 P_D：225W

• 存儲(chǔ)溫度 T_STG：-55~+150℃

• 工作結(jié)溫 T_J：-55~+150℃

• 結(jié)到管殼的熱阻 R_θJC：62℃/W

• 結(jié)到環(huán)境的熱阻 R_θJA：0.55℃/W

N型MOSFET 160N10的電特性：

(如無特殊說明，T_J=25℃)