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產(chǎn)品分類

Product Categories
5.5mΩ 30VNMOS管 100N03 TO-263
5.5mΩ 30VNMOS管 100N03 TO-263
產(chǎn)品品牌：宇芯微
產(chǎn)品類型：中低壓MOS管
產(chǎn)品型號：100N03
產(chǎn)品封裝：TO-263
產(chǎn)品標題：5.5mΩ 30VNMOS管 100N03 TO-263 電源MOSFET 貼片場效應管
咨詢熱線：0769-89027776

產(chǎn)品詳情


5.5mΩ 30VNMOS管 100N03 TO-263 電源MOSFET 貼片場效應管



30VNMOS管 100N03的產(chǎn)品應用：

  • 電池保護

  • 負載開關(guān)

  • UPS 不間斷電源



30VNMOS管 100N03的極限值：

(如無特殊說明，TC=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS：30V

  • 柵極-源極電壓 VGS：±20V

  • 漏極電流-連續(xù) ID：100A

  • 漏極電流-脈沖 IDM：300A

  • 單脈沖雪崩能量 EAS：56mJ

  • 總耗散功率 PD：68W

  • 存儲溫度 TSTG：-55~+175℃

  • 工作結(jié)溫 TJ：-55~+175℃

  • 結(jié)到管殼的熱阻 RθJC：2.2℃/W

  • 結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA：62℃/W



30VNMOS管 100N03的電特性：

(如無特殊說明，TJ=25℃)

符號
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓3032
V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導通電阻

VGS=10V,ID=30A


4.55.5mΩ
靜態(tài)漏源導通電阻

VGS=4.5V,ID=20A


89.5
VGS(th)
柵極開啟電壓1.21.62.5V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
33.7
nC
Qgs柵源電荷密度

8.5


Qgd柵漏電荷密度
7.5
Ciss輸入電容
1614
pF
Coss輸出電容
245
Crss反向傳輸電容
215
td(on)開啟延遲時間
7.5
ns
tr開啟上升時間

14.5


td(off)關(guān)斷延遲時間
35.2
tf
開啟下降時間
9.6


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