手機快充MOS -60V/-80A MOSFET參數(shù) 80P06 TO-252 貼片低壓MOS管
貼片低壓MOS管 80P06的產(chǎn)品特點：
VDS=-60V
ID=-80A
RDS(ON)＜11mΩ@VGS=-10V(Type：9mΩ)
封裝：TO-252
貼片低壓MOS管 80P06的應用領域：
鋰電池保護
手機快充
貼片低壓MOS管 80P06的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | -60 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù) TC=25℃ | -80 | A |
漏極電流-連續(xù) TC=100℃ | -50 | ||
| IDM | 漏極電流-脈沖 | -320 | |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 450 | mJ |
| IAS | 雪崩電流 | 41 | A |
| PD | 總耗散功率 TC=25℃ | 110 | W |
| RθJA | 結到環(huán)境的熱阻 | 1.1 | ℃/W |
| RθJC | 結到管殼的熱阻 | 60 | |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~+150 | ℃ |
| TJ | 工作結溫 | -55~+150 |
貼片低壓MOS管 80P06的電特性：
(如無特殊說明，Tj=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | -60 | -68 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導通電阻 VGS=-10V,ID=-20A | 9 | 11 | mΩ | |
| 靜態(tài)漏源導通電阻 VGS=-4.5V,ID=15A | 12 | 16 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | -1 | -1.8 | -2.5 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| gfs | 正向跨導 | 50 | S | ||
| Qg | 柵極電荷 | 56 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 11 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 9 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 3500 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 600 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 25 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 4.5 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 2.5 | |||
| td(off) | 關斷延遲時間 | 14.5 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 3.8 |
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