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產(chǎn)品分類

Product Categories
80P04 TO-252 常用P溝道MOS管
80P04 TO-252 常用P溝道MOS管
產(chǎn)品品牌:宇芯微
產(chǎn)品類型:中低壓MOS管
產(chǎn)品型號:80P04
產(chǎn)品封裝:TO-252
產(chǎn)品標(biāo)題:貼片MOS中文資料 80P04 TO-252 常用P溝道MOS管 大功率場效應(yīng)管
咨詢熱線:0769-89027776

產(chǎn)品詳情


貼片MOS中文資料 80P04 TO-252 常用P溝道MOS管 大功率場效應(yīng)管



大功率場效應(yīng)管 80P04的產(chǎn)品特點(diǎn):

  • VDS=-40V

  • ID=-80A

  • RDS(ON)<10mΩ@VGS=-10V(Type:7mΩ)

  • 封裝:TO-252



大功率場效應(yīng)管 80P04的應(yīng)用領(lǐng)域:

  • 電池保護(hù)

  • 負(fù)載開關(guān)

  • UPS 不間斷電源



大功率場效應(yīng)管 80P04的極限值:

(如無特殊說明,TC=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS:-40V

  • 柵極-源極電壓 VGS:±20V

  • 漏極電流-連續(xù) ID:-80A

  • 漏極電流-脈沖 IDM:-280A

  • 單脈沖雪崩能量 EAS:500mJ

  • 雪崩電流 IAS:-50A

  • 總耗散功率 PD:52.1W

  • 存儲溫度 TSTG:-55~+150℃

  • 工作結(jié)溫 TJ:-55~+150℃

  • 結(jié)到管殼的熱阻 RθJC:2.4℃/W

  • 結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA:62℃/W



大功率場效應(yīng)管 80P04的電特性:

(如無特殊說明,Tj=25℃)

符號
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓-40-44
V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=-10V,ID=-12A


710
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=-4.5V,ID=-12A


915
VGS(th)
柵極開啟電壓-1.2-1.8-2.5V
IGSS柵極漏電流

±100nA
gfs正向跨導(dǎo)
20
S
Qg柵極電荷
27.9
nC
Qgs柵源電荷密度

7.7


Qgd柵漏電荷密度
7.5
Ciss輸入電容
6500
pF
Coss輸出電容
790
Crss反向傳輸電容
605
td(on)開啟延遲時間
40
ns
tr開啟上升時間

35.2


td(off)關(guān)斷延遲時間
100
tf
開啟下降時間
9.6


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