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產(chǎn)品分類

Product Categories
650V/12A 國產(chǎn)高壓MOS 12N65 TO-220F
650V/12A 國產(chǎn)高壓MOS 12N65 TO-220F
產(chǎn)品品牌:宇芯微
產(chǎn)品類型:高壓MOS管
產(chǎn)品型號:12N65
產(chǎn)品封裝:TO-220F
產(chǎn)品標題:650V/12A 國產(chǎn)高壓MOS 12N65 TO-220F 塑封場效應管 NMOS管
咨詢熱線:0769-89027776

產(chǎn)品詳情


650V/12A 國產(chǎn)高壓MOS 12N65 TO-220F 塑封場效應管 NMOS管



塑封場效應管 12N65的產(chǎn)品特點:

  • VDS=650V

  • ID=12A

  • RDS(ON)<0.72Ω@VGS=10V(Type:0.6Ω)

  • 封裝:TO-220F



塑封場效應管 12N65的應用領(lǐng)域:

  • UPS 不間斷電源

  • PFC 功率因素校正



塑封場效應管 12N65的極限值:

(如無特殊說明,TC=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS:650V

  • 柵極-源極電壓 VGS:±30V

  • 漏極電流-連續(xù) ID:12A

  • 漏極電流-脈沖 IDM:44A

  • 單脈沖雪崩能量 EAS:304mJ

  • 雪崩電流 IAR:7.7A

  • 重復雪崩能量 EAR:65mJ

  • 總耗散功率 PD:32.1W

  • 存儲溫度 TSTG:-55~+150℃

  • 工作結(jié)溫 TJ:-55~+150℃

  • 結(jié)到管殼的熱阻 RθJC:1.92℃/W

  • 結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA:62.5℃/W



塑封場效應管 12N65的電特性:

(如無特殊說明,Tj=25℃)

符號
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓650685
V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導通電阻

VGS=10V,ID=5.5A


0.60.72Ω
VGS(th)
柵極開啟電壓23.54V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
46
nC
Qgs柵源電荷密度

7


Qgd柵漏電荷密度
23
Ciss輸入電容
1528
pF
Coss輸出電容
147
Crss反向傳輸電容
16
td(on)開啟延遲時間
43
ns
tr開啟上升時間

29


td(off)關(guān)斷延遲時間
196
tf
開啟下降時間
51

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