650V高壓MOS管 12N65 TO-220 N型MOSFET 大功率場(chǎng)效應(yīng)管
N型MOSFET 12N65的產(chǎn)品特點(diǎn)：
VDS=650V
ID=12A
RDS(ON)＜0.72Ω@VGS=10V(Type：0.6Ω)
封裝：TO-220
N型MOSFET 12N65的應(yīng)用領(lǐng)域：
UPS 不間斷電源
PFC 功率因素校正
N型MOSFET 12N65的極限值：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TC=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 650 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±30 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù) | 12 | A |
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 44 | |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 304 | mJ |
| IAR | 雪崩電流 | 7.7 | A |
| EAR | 重復(fù)雪崩能量 | 65 | mJ |
| PD | 總耗散功率 | 32.1 | W |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 62.5 | ℃/W |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 1.92 | |
| TSTG | 存儲(chǔ)溫度 | -55~+150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~+150 |
N型MOSFET 12N65的電特性：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，Tj=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 650 | 685 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=5.5A | 0.6 | 0.72 | Ω | |
| VGS(th) | 柵極開(kāi)啟電壓 | 2 | 3.5 | 4 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 46 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 7 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 23 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 1528 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 147 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 16 | |||
| td(on) | 開(kāi)啟延遲時(shí)間 | 43 | ns | ||
| tr | 開(kāi)啟上升時(shí)間 | 29 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 196 | |||
| tf | 開(kāi)啟下降時(shí)間 | 51 |
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