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產(chǎn)品分類

Product Categories
80N07 TO-220F 塑封N溝道MOS管
80N07 TO-220F 塑封N溝道MOS管
產(chǎn)品品牌:宇芯微
產(chǎn)品類型:中低壓MOS管
產(chǎn)品型號:80N07
產(chǎn)品封裝:TO-220F
產(chǎn)品標題:68V/80A 國產(chǎn)大電流MOS 80N07 TO-220F 塑封NMOS 電池保護MOS管
咨詢熱線:0769-89027776

產(chǎn)品詳情


68V/80A 國產(chǎn)大電流MOS 80N07 TO-220F 塑封NMOS 電池保護MOS管



塑封NMOS 80N07的產(chǎn)品特點:

  • VDS=68V

  • ID=80A

  • RDS(ON)<9mΩ@VGS=10V(Type:7.2mΩ)

  • 封裝:TO-220F



塑封NMOS 80N07的應用領域:

  • 電池保護

  • 負載開關

  • UPS 不間斷電源



塑封NMOS 80N07的極限參數(shù):

(如無特殊說明,TC=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS:68V

  • 柵極-源極電壓 VGS:±20V

  • 漏極電流-連續(xù) ID:80A

  • 漏極電流-脈沖 IDM:320A

  • 單脈沖雪崩能量 EAS:110mJ

  • 雪崩電流 IAS:22A

  • 總耗散功率 PD:103W

  • 結到環(huán)境的熱阻 RθJA:63℃/W

  • 結到管殼的熱阻 RθJC:1.46℃/W

  • 存儲溫度 TSTG:-55~150℃

  • 工作結溫 TJ:-55~150℃



塑封NMOS 80N07的電特性:

(如無特殊說明,Tj=25℃)

符號
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓6872
V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導通電阻

VGS=10V,ID=10A


7.59
VGS(th)
柵極開啟電壓234V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
35
nC
Qgs柵源電荷密度

11


Qgd柵漏電荷密度
9
Ciss輸入電容
400
pF
Coss輸出電容
267
Crss反向傳輸電容
250
td(on)開啟延遲時間
15
ns
tr開啟上升時間

90


td(off)關斷延遲時間
45
tf
開啟下降時間
30


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